134nm波长光源的激光器和浸没式光刻系统专利技术会在第一时间卖给GCA使用。
邓国辉和钱富强从1999年8月开始立项，BSEC投资1亿元，带领光刻机光源研究所，静下心来开始研发EUV激光器，先后投资了3.6亿元，还在研究之中。
2002年1月18日，由GCA和悟空天使投资基金带头，分别出资5亿美元和2亿美元，加上INTEL、IBM、TI、AMD、摩托罗拉、Cymer、HP、台积电和三星等25家公司，共同出资50亿美元成立的GCA EUV光刻机股份有限责任公司研制的EUV激光器已经临近尾声。
由于重生者的缘故，65nm制程工艺的浸没式光刻机提前研制成功，EUV光刻机也会提前研制成功。
2002年8月，参加7月2日在布鲁塞尔举行的157nm微影技术的研讨会后，ASML董事长兼总裁普拉多同台积电的林本坚博士合作，采用“浸润原理”，投入巨资，开始研制浸没式光刻机。
邓国辉院士在研讨会上支持林本坚博士提出的“浸润原理”，并表示京城光刻机研究院光源研究所正在研究“浸润原理”，这三年，邓国辉和钱富强等先后在《Science Advances》上，发表7篇研究浸没式光源系统和浸没式光刻机技术的科研论文，在光刻机行业引起轰动。
半导体专家预测，二年内，浸没式光刻机将被研制成功。
Intel对Core 2 Duo，AMD对Athlon X2的研制开始加速。
(本章完)
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